热扩散掺杂的工艺可以一步实现。A. 正确B. 错误

热扩散掺杂是半导体制造中的关键工艺，其核心是通过高温环境使掺杂剂原子扩散到半导体材料中。该工艺通常需要多步骤完成，包括准备、加热扩散、冷却等环节。题目考查对热扩散掺杂工艺流程的理解，需明确其是否能“一步实现”。

关键点：热扩散掺杂的物理过程依赖于原子的热运动，需要足够的时间和温度控制，无法在单一操作中完成全部步骤。

热扩散掺杂的具体步骤通常包括：

1. 准备阶段：将半导体材料（如硅片）与掺杂剂（固体或气体）置于密闭容器中。
2. 高温扩散：在高温（几百摄氏度）下，掺杂剂原子通过热运动扩散到半导体表面并渗透内部。
3. 冷却处理：降温以固定掺杂效果，防止原子回迁。
4. 清洗与检测：去除残留物并验证掺杂浓度。

由于上述步骤相互独立且必要，热扩散掺杂无法通过单一操作完成，因此题目答案为错误。