题目
【简答题】已知本征硅材料的禁带宽度Eg=1.2 eV,求该半导体材料的本征吸收长波限
【简答题】已知本征硅材料的禁带宽度Eg=1.2 eV,求该半导体材料的本征吸收长波限
题目解答
答案
1.24/1.2=1.03 微米
解析
步骤 1:理解本征吸收长波限的定义
本征吸收长波限是指半导体材料中电子从价带跃迁到导带所需的最小能量对应的波长。当入射光的能量等于或大于禁带宽度时,电子可以被激发,从而发生吸收。
步骤 2:计算本征吸收长波限
根据公式:Eg = hc/λ,其中Eg是禁带宽度,h是普朗克常数,c是光速,λ是波长。将已知的禁带宽度Eg=1.2 eV代入公式,可以计算出本征吸收长波限λ。
步骤 3:将已知数值代入公式
将Eg=1.2 eV代入公式Eg = hc/λ,其中h=6.626×10^-34 J·s,c=3×10^8 m/s,1 eV=1.602×10^-19 J,可以计算出λ。
本征吸收长波限是指半导体材料中电子从价带跃迁到导带所需的最小能量对应的波长。当入射光的能量等于或大于禁带宽度时,电子可以被激发,从而发生吸收。
步骤 2:计算本征吸收长波限
根据公式:Eg = hc/λ,其中Eg是禁带宽度,h是普朗克常数,c是光速,λ是波长。将已知的禁带宽度Eg=1.2 eV代入公式,可以计算出本征吸收长波限λ。
步骤 3:将已知数值代入公式
将Eg=1.2 eV代入公式Eg = hc/λ,其中h=6.626×10^-34 J·s,c=3×10^8 m/s,1 eV=1.602×10^-19 J,可以计算出λ。