离子注入掺杂与扩散掺杂相比，下列说法正确的是()A. 离子注入的横向扩散很大，不利于提高IC集成度；B. 离子注入的工艺温度更高;C. 离子注入能更精确地控制掺杂的浓度分布和掺杂深度D. 离子注入受到杂质在衬底材料中固溶度的影响,掺杂元素的挑选范围窄。

本题考查离子注入掺杂与扩散掺杂的区别，需掌握两种工艺的核心特点。
关键点：

1. 横向扩散：扩散掺杂因热运动易产生横向扩散，而离子注入几乎无横向扩散。
2. 工艺温度：扩散掺杂需高温，离子注入温度低。
3. 掺杂精度：离子注入可通过控制离子能量和剂量，精确调控浓度和深度。
4. 杂质选择：离子注入不受固溶度限制，可选择更多掺杂元素。

选项分析

A. 离子注入的横向扩散很大
错误。离子注入是定向注入，横向扩散极小；而扩散掺杂因热运动导致横向扩散显著。

B. 离子注入的工艺温度更高
错误。扩散掺杂需高温（如800°C以上）促进扩散，离子注入通常在低温（室温至200°C）下进行。

C. 离子注入能更精确控制浓度分布和深度
正确。离子注入通过调节离子能量控制深度，剂量控制浓度，精度远高于扩散掺杂。

D. 离子注入受固溶度影响，挑选范围窄
错误。扩散掺杂需杂质与衬底有高固溶度，而离子注入可直接注入多种元素，不受此限制。