硅晶体中易形成间隙式杂质的是____。A. 硼B. 砷C. 离子锂

本题考查半导体材料中杂质类型的判断，需掌握替位式杂质与间隙式杂质的形成条件。关键点在于：

1. 替位式杂质：杂质原子取代硅原子位置，通常原子尺寸与硅接近（如硼、磷）。
2. 间隙式杂质：杂质占据晶格间隙，通常原子尺寸较小或以离子形式存在（如锂）。
3. 选项分析：硼（三价，原子尺寸接近硅）、砷（五价，原子较大）易形成替位式；锂离子因尺寸小，易形成间隙式。

选项分析

A. 硼

• 三价元素，原子尺寸与硅接近，易通过取代硅原子形成替位式杂质。

B. 砷

• 五价元素，原子较大，通常以替位式掺入硅晶格。

C. 离子锂

• 原子半径小，且以离子形式存在，容易占据硅晶格的间隙位置，形成间隙式杂质。