以下关于半导体材料的说法，正确的有()。A. 本征半导体的本征激发使得自由电子与空穴成对出现,而复合又使得自由电子与空穴成对消失,所以整体而言，本征半导体内部无可以参与导电的载流子。B. 杂质半导体内部多数载流子为掺入的杂质提供,少数载流子为本征激发产生的电子与空穴。C. 由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量自由电子载流子，所以P型半导体带正电,N型半导体带负电。D. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺杂浓度。E. 外电场作用下，半导体材料内部空穴的顺电场漂移运动实际上是临近共价键中的束缚电子逆电场漂移运动。

步骤 1：分析本征半导体的性质
本征半导体在本征激发下产生自由电子和空穴，但这些载流子会通过复合过程消失。然而，即使在平衡状态下，本征半导体内部仍然存在少量的自由电子和空穴，这些载流子可以参与导电。因此，选项A是错误的。

步骤 2：分析杂质半导体的性质
杂质半导体中，掺入的杂质原子会提供多数载流子，而本征激发产生的电子和空穴则成为少数载流子。因此，选项B是正确的。

步骤 3：分析半导体的电荷性质
P型半导体和N型半导体中的载流子分别是空穴和自由电子，但这些载流子是中性的，因此半导体材料本身不带电。因此，选项C是错误的。

步骤 4：分析多数载流子的浓度
在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺杂浓度，因为掺杂浓度决定了提供多数载流子的杂质原子的数量。因此，选项D是正确的。

步骤 5：分析空穴的漂移运动
在外电场作用下，半导体材料内部空穴的顺电场漂移运动实际上是临近共价键中的束缚电子逆电场漂移运动。因此，选项E是正确的。