题目
何谓均匀成核? 何谓不均匀成核? 晶核剂对熔体结晶过程的临界晶核半径r*有何影响?
何谓均匀成核? 何谓不均匀成核? 晶核剂对熔体结晶过程的临界晶核半径r*有何影响?
题目解答
答案
解:均匀成核——在均匀介质中进行,在整体介质中的核化可能性相同,与界面,缺陷无关;
非均匀成核——在异相界面上进行,如容器壁,气泡界面或附着于外加物(杂质或晶核剂),
,晶核剂降低
,因此r*下降。
解析
步骤 1:定义均匀成核
均匀成核是指在均匀介质中进行的成核过程,即在整体介质中的核化可能性相同,与界面或缺陷无关。
步骤 2:定义不均匀成核
不均匀成核是指在异相界面上进行的成核过程,如容器壁、气泡界面或附着于外加物(杂质或晶核剂)。
步骤 3:晶核剂对临界晶核半径的影响
晶核剂通过降低界面能(Y L),从而降低形成临界晶核所需的能量,因此临界晶核半径(r*)下降。
均匀成核是指在均匀介质中进行的成核过程,即在整体介质中的核化可能性相同,与界面或缺陷无关。
步骤 2:定义不均匀成核
不均匀成核是指在异相界面上进行的成核过程,如容器壁、气泡界面或附着于外加物(杂质或晶核剂)。
步骤 3:晶核剂对临界晶核半径的影响
晶核剂通过降低界面能(Y L),从而降低形成临界晶核所需的能量,因此临界晶核半径(r*)下降。