在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于()。A.()温度()B.()掺杂浓度()C.()掺杂工艺()D.()晶体缺陷

在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于掺杂浓度。掺杂浓度是指在半导体材料中掺入的杂质原子的浓度。掺杂浓度的大小直接影响到多子的浓度，因为多子的浓度与掺杂浓度成正比。掺杂浓度越高，多子的浓度也越高。温度、掺杂工艺和晶体缺陷等其他因素对多子浓度的影响相对较小。