题目
5.产生抑制性突触后电位的主要机制是 ()-|||-A.突触前末梢递质释放减少-|||-B.突触后膜 Ca2+ 通透性降低-|||-C.突触后膜 Na+ 通透性降低-|||-D.中间神经元受抑制-|||-E.突触后膜发生超极化[正确答案]

题目解答
答案

解析
本题考查抑制性突触后电位(IPSP)的产生机制。关键在于理解突触传递中抑制性信号的形成过程。核心思路是:抑制性递质作用于突触后膜,引起特定离子通道开放,导致膜电位超极化。需区分兴奋性与抑制性突触后电位的离子流动差异,明确超极化的本质是膜内电位更负。
选项分析
A. 突触前末梢递质释放减少
递质释放减少会减弱信号传递,但与抑制性电位的直接机制无关。
B. 突触后膜 Ca²⁺ 通透性降低
Ca²⁺ 主要参与递质释放,与后膜电位变化无直接关系。
C. 突触后膜 Na⁺ 通透性降低
Na⁺ 内流减少会减弱去极化(如 EPSP),但无法解释超极化的产生。
D. 中间神经元受抑制
中间神经元状态影响信号传递,但属于间接因素,非直接机制。
E. 突触后膜发生超极化
正确。抑制性递质(如 GABA)与受体结合,使 Cl⁻ 内流或 K⁺ 外流,导致膜电位超极化,形成 IPSP。