下面是与硅热氧化速率有关的论述，哪种论述正确:A. 因为水汽在硅氧化层中的溶解度(也就是平衡浓度)远大于氧气，所以水汽的氧化速率比干氧氧化快得多B. 温度对抛物线氧化速率影响大，对线性氧化速率影响小C. 在氧化层很薄时增加氧气分压，比在氧化层较厚时增加氧气分压，对提高氧化速率的影响更大D. 氧化层较厚时，可以忽略硅晶向对热氧化速率的影响