工艺上用于反映横向刻蚀程度的参数是:A. 刻蚀速率B. 刻蚀因子C. 均匀性D. 选择比

考查要点：本题主要考查对半导体工艺中刻蚀参数的理解，特别是横向刻蚀相关参数的识别。

解题核心思路：明确各选项参数的定义与应用场景，横向刻蚀程度需对应反映刻蚀方向性或横向扩展的参数。

破题关键点：

• 刻蚀速率：指刻蚀速度，与纵向深度相关，非横向。
• 刻蚀因子：反映横向与纵向刻蚀的比例，直接关联横向扩展程度。
• 均匀性：描述刻蚀均匀性，与方向无关。
• 选择比：涉及材料选择性，与方向无关。

选项分析

A. 刻蚀速率

刻蚀速率是单位时间内材料被去除的量，主要反映纵向刻蚀深度，与横向无关。

B. 刻蚀因子

刻蚀因子定义为横向刻蚀宽度与纵向刻蚀深度的比值，直接用于量化横向刻蚀的程度。例如，在各向异性刻蚀中，刻蚀因子低表示横向扩展少，结构更垂直。

C. 均匀性

均匀性描述刻蚀后表面的平整度，与刻蚀方向无关，仅反映均匀性问题。

D. 选择比

选择比是刻蚀材料与掩膜材料的刻蚀速率比，用于衡量选择性腐蚀，与横向刻蚀无关。

结论：只有刻蚀因子直接反映横向刻蚀程度，故选B。