关于金属烤瓷冠的金瓷结合，下列说法正确的是A. 氧化铝喷砂处理烤瓷合金可以提高金-瓷结合力B. 化学结合占有约 1/3 的金-瓷结合力C. 增加烘烤次数可降低瓷的热膨胀系数D. 烤瓷合金与瓷的热膨胀系数之差在 (0.9 sim 1.5) times 10^-5/mathrm(℃) 为宜E. 可以采用碳化硅磨头清理基底金属表面的包埋料

**找到相似题目** 关于金属烤瓷冠的金瓷结合，下列说法正确的是 A. 氧化铝喷砂处理烤瓷合金可以提高金-瓷结合力 B. 化学结合占有约1/3的金-瓷结合力 C. 增加烘烤次数可降低瓷的热膨胀系数 D. 烤瓷合金与瓷的热膨胀系数之差在(0.9~1.5)×10⁻⁵/℃为宜 E. 可以采用碳化硅磨头清理基底金属表面的包埋料 正确答案：**A** **正确答案解析** **A. 氧化铝喷砂处理烤瓷合金可以提高金-瓷结合力** 氧化铝喷砂通过粗化金属表面，增加接触面积和机械嵌合力，同时改善瓷的润湿性，从而显著提高金-瓷结合力。这是金-瓷结合的关键工艺步骤之一。 **错误选项解析** **B. 化学结合占有约1/3的金-瓷结合力** 化学结合是金-瓷结合的主要形式，占总结合力的52.5%以上（如文献），而非1/3。 **C. 增加烘烤次数可降低瓷的热膨胀系数** 增加烘烤次数会导致瓷的热膨胀系数**升高**（如文献指出烧结次数增加可能改变瓷的热膨胀系数），而非降低。 **D. 烤瓷合金与瓷的热膨胀系数之差在(0.9~1.5)×10⁻⁵/℃为宜** 正确范围应为(0.9~1.5)×10⁻⁶/℃（文献），选项中单位错误（10⁻⁵比实际值大10倍）。 **E. 可以采用碳化硅磨头清理基底金属表面的包埋料** 碳化硅磨头可能残留磨料（如SiC颗粒），污染金属表面，降低金-瓷结合力（文献明确指出需避免此类污染）。正确方法是使用超声清洗等无残留技术。