Ⅲ族、v族元素掺入半导体硅、锗以后,施主电离能 Delta ED 和受主电离能 Delta EA 的数值远-|||-低于禁带宽度Eg。这是因为 __ 远弱于 __ 施主杂质和受主杂质之间的相-|||-互抵消作用称为 __ 若出现施主浓度近似等于受主浓度的现象,则称为杂质的.-|||-__ 这时不能向导带(或价带)提供有效的 __

掺入半导体硅、锗中的Ⅲ族、V族元素的施主电离能 $\Delta {E}_{D}$ 和受主电离能 $\Delta {E}_{A}$ 的数值远低于禁带宽度 $E_{g}$，这是因为掺入的杂质原子与半导体晶格中的原子之间的化学键（即束缚能）远弱于半导体晶格中原子之间的共价键能。施主杂质和受主杂质之间的相互抵消作用称为补偿效应。当施主浓度近似等于受主浓度时，称为杂质的高度补偿，这时杂质不能向导带（或价带）提供有效的载流子。