一般对电子的散射可以分为()贡献和()贡献两部分。A. 界面(晶界)散射B. 重度散射C. 颗粒(晶内)散射D. 轻度散射

本题考查电子散射的分类，核心在于理解材料中电子散射的两种主要贡献来源。
关键点：

1. 晶内散射：电子在晶粒内部（如晶格缺陷、位错等）发生的散射。
2. 界面（晶界）散射：电子在晶粒之间的界面（晶界）处因结构无序性产生的散射。
   选项中需区分散射的位置类型（晶内/晶界）而非散射强度（重度/轻度）。

电子在晶体材料中的散射主要分为以下两部分：

1. 颗粒（晶内）散射（选项C）：
   晶粒内部的结构缺陷（如位错、空位等）会导致电子散射。
2. 界面（晶界）散射（选项A）：
   晶粒之间的界面（晶界）因原子排列无序，显著影响电子传输。

选项B（重度散射）和D（轻度散射）描述的是散射强度，与题目要求的分类维度不符。