85.(判断题,1.0分)-|||-离子注入之后为修复晶格损伤和激活杂质,必须进行退》-|||-A 对-|||-B 错

本题考查半导体工艺中离子注入后的处理步骤。关键点在于理解离子注入对晶体结构造成的晶格损伤以及杂质激活的必要性。离子注入会引入缺陷，必须通过退火来修复损伤并激活注入的杂质，从而保证器件性能。

离子注入是半导体制造中的核心步骤，通过高能离子束将杂质注入半导体材料，改变其导电性。然而，此过程会对晶体结构造成以下两方面影响：

1. 晶格损伤：高能离子撞击晶格，产生缺陷和空位，导致材料性能下降。
2. 杂质未激活：注入的杂质以“损伤态”存在，需通过高温退火使其电离，成为可参与导电的自由载流子。

退火的作用：

• 修复晶格：通过热激活，使缺陷重新排列，恢复晶体完整性。
• 激活杂质：提供能量使杂质释放并扩散到晶格节点，形成有效掺杂。

因此，退火是离子注入后必不可少的步骤。