[题目]在半导体锗材料中,掺入施主杂质浓度ND-|||-=1014cm-3 ,受主杂质浓度 =7times 1013cm-3 设-|||-室温下本征锗的电阻率为60Ω.cm,假设电子和空穴-|||-的迁移率分别为 mu m=3600cm2/s mu P=1800cm21-|||-Vs,如流过样品的电流密度为 .3mA/cm2, .求所-|||-加的电场强度。-|||-(提示:杂质完全电离,先求ni,由电中型条件和n0p0-|||-=ni2 求n0和p0,再求电导率和电场)