刻蚀的质量要求包括:A. 均匀性好B. 图形保真度好C. 选择比高D. 洁净度高E. 适合于生产

刻蚀是半导体制造过程中的一项关键工艺，用于在硅片上形成微细结构。刻蚀的质量要求包括：
A. 均匀性好：确保刻蚀深度在整个硅片上保持一致，避免出现局部过刻或欠刻。
B. 图形保真度好：刻蚀过程中应保持原始图形的形状和尺寸，避免变形或失真。
C. 选择比高：刻蚀过程中，对目标材料的刻蚀速率应远高于对掩膜材料的刻蚀速率，以确保刻蚀的精确性。
D. 洁净度高：刻蚀后硅片表面应无残留物，避免影响后续工艺。
E. 适合于生产：刻蚀工艺应具有高效率和高稳定性，以满足大规模生产的需求。