利用气体混合的化学反应在硅片表面淀积一层固体薄膜的工艺过程是:A. 氧化B. PVDC. CVDD. 外延生长

在半导体制造工艺中，CVD（化学气相沉积）是一种利用气体混合物在硅片表面发生化学反应，从而在硅片表面形成一层固体薄膜的技术。这种方法广泛应用于半导体器件的制造过程中，用于形成各种类型的薄膜，如绝缘层、导电层等。其他选项中，氧化是指在硅片表面形成二氧化硅层，PVD（物理气相沉积）是通过物理过程（如蒸发或溅射）在硅片表面沉积薄膜，而外延生长则是通过化学反应在硅片表面生长单晶硅层。