二、判断题(每小题1.5分,共9分)-|||-1.连续固溶体可以是替位式固溶体,也可以是间隙式固溶体 ()-|||-2.管芯在芯片表面上的位置安排应考虑材料的解理方向,而解理向的确定应根-|||-据定向切割硅锭时制作出的定位面为依据。(√)-|||-3.当位错线与滑移矢量垂直时,这样的位错称为刃位错,如果位错线与滑移矢-|||-量平行,称为螺位错(√)-|||-4.热氧化过程中是硅向二氧化硅外表面运动,在二氧化硅表面与氧化剂反应生-|||-成二氧化硅。 ()-|||-5.热氧化生长的Si O2都是四面体结构,有桥键氧、非桥键氧,桥键氧越多结构-|||-越致密,SiO2中有离子键成份,氧空位表现为带正电。 ()-|||-6.SiO2中5价的网络形成者可使结构强度增加,而3价的网络形成者可使结构-|||-强度减小(√)-|||-7.Si O2作为扩散掩蔽膜需要满足一定的厚度要求。(√)-|||-8.硅热氧化形成SiO2体积将增加约1倍 ()-|||-9.温度对氧化速率常数A、B都有影响,压强只影响氧化速率常数B。 ()-|||-10.在常规热氧化工艺中干氧氧化的速度最快。 ()

步骤 1：连续固溶体的定义
连续固溶体是指溶质原子在溶剂晶格中均匀分布，形成单一相的固溶体。它可以是替位式固溶体，也可以是间隙式固溶体，取决于溶质原子的大小和溶剂晶格的空隙大小。
步骤 2：管芯位置安排
管芯在芯片表面上的位置安排应考虑材料的解理方向，而解理方向的确定应根据定向切割硅锭时制作出的定位面为依据。这是为了确保芯片在后续加工过程中不会因为解理方向而产生裂纹或损坏。
步骤 3：位错的分类
当位错线与滑移矢量垂直时，这样的位错称为刃位错。如果位错线与滑移矢量平行，称为螺位错。这是位错的基本分类，根据位错线与滑移矢量的相对位置来区分。
步骤 4：热氧化过程
热氧化过程中，硅原子向二氧化硅外表面运动，在二氧化硅表面与氧化剂反应生成二氧化硅。这是热氧化的基本过程，硅原子在氧化剂的作用下形成二氧化硅。
步骤 5：SiO2的结构
热氧化生长的SiO2都是四面体结构，有桥键氧、非桥键氧，桥键氧越多结构越致密。SiO2中有离子键成分，氧空位表现为带正电。这是SiO2的结构特点，桥键氧越多，结构越致密。
步骤 6：SiO2中网络形成者的影响
SiO2中5价的网络形成者可使结构强度增加，而3价的网络形成者可使结构强度减小。这是由于5价的网络形成者可以形成更多的桥键氧，而3价的网络形成者则会减少桥键氧的数量。
步骤 7：SiO2作为扩散掩蔽膜
SiO2作为扩散掩蔽膜需要满足一定的厚度要求。这是为了确保SiO2能够有效地阻挡扩散过程中的杂质。
步骤 8：硅热氧化形成SiO2体积
硅热氧化形成SiO2体积将增加约1倍。这是由于硅原子在氧化过程中形成二氧化硅，体积会增加。
步骤 9：温度对氧化速率常数的影响
温度对氧化速率常数A、B都有影响，压强只影响氧化速率常数B。这是由于温度和压强对氧化过程的影响不同，温度影响氧化速率常数A和B，而压强只影响氧化速率常数B。
步骤 10：常规热氧化工艺中干氧氧化的速度
在常规热氧化工艺中干氧氧化的速度最快。这是由于干氧氧化过程中，氧化剂的浓度较高，氧化速度较快。