单选题(共13题,26.0分)-|||-12.(2.0分)PEC VD的全称是?-|||-A等等子增强化学气相沉积-|||-B 物理化学气相沉积-|||-C 化学气相沉积-|||-D 等离子刻蚀

本题考查对PECVD技术全称的记忆。解题关键在于分解缩写词：

• PECVD由Plasma Enhanced CVD缩写而来，其中“PE”代表等离子体增强，“CVD”是化学气相沉积的缩写。
• 需注意选项中可能存在的干扰项（如“物理化学”或“等离子刻蚀”），需结合技术特点排除。

选项分析

选项A：等离子增强化学气相沉积

• 正确。PECVD的全称是Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，对应“等离子增强化学气相沉积”。
• 核心特点是利用等离子体活化反应气体，增强化学气相沉积效率，适用于低温制备高质量薄膜。

选项B：物理化学气相沉积

• 错误。物理气相沉积（PVD）与化学气相沉积（CVD）是两种不同技术，二者结合的术语不成立。

选项C：化学气相沉积

• 错误。CVD是PECVD的基础技术，但未体现“等离子增强”这一关键特征。

选项D：等离子刻蚀

• 错误。等离子刻蚀（Plasma Etching）是半导体制造中的另一种工艺，与薄膜沉积无关。