制备单晶的常用方法是？A. 垂直提拉法B. 离心急冷法C. 轧制急冷法D. 气相沉积法

考查要点：本题主要考查单晶制备的常用方法，需要区分不同制备技术的特点及应用场景。

解题核心思路：
单晶制备的关键在于控制晶体生长过程，确保晶体结构完整无缺陷。垂直提拉法（Czochralski法）是半导体工业中制备硅、锗等单晶的主流方法，通过熔体表面提拉籽晶实现单晶生长。其他选项如气相沉积法、离心急冷法等，更多用于薄膜或非晶材料制备，与单晶制备的核心需求不符。

破题关键点：

• 垂直提拉法直接针对大尺寸单晶生长，工艺成熟且广泛应用。
• 其他选项的技术特点与单晶制备的“单晶完整性”要求不匹配。

垂直提拉法（Czochralski法）是单晶制备的核心方法，具体步骤如下：

1. 熔化原料：将多晶原料放入坩埚中加热至熔点以上，形成熔体。
2. 引入籽晶：将单晶籽晶浸入熔体表面，确保晶体结构一致性。
3. 缓慢提拉：以恒定速度向上提拉籽晶，熔体中的原子按籽晶晶格排列，逐步形成单晶棒。
4. 冷却固化：单晶棒在提拉过程中自然冷却，最终得到完整单晶。

其他选项分析：

• B. 离心急冷法：常用于制备非晶态或微晶材料，无法保证单晶结构。
• C. 轧制急冷法：属于金属加工技术，用于调控显微组织而非单晶生长。
• D. 气相沉积法：适用于薄膜生长（如CVD），但单晶薄膜制备需额外工艺（如外延生长），非主流单晶制备方法。