四、不定项选择题(共10道试题,共30分。)1.关于硅的电阻率说法错误的是()。A. 在高纯硅中掺入极微量的电活性杂质,其电阻率会显著下降 B. 硅的电导率对外界因素(如光、热、磁等)高度敏感 C. N型半导体中也有自由电子,但数量很少,称为少数载流子 D. N型半导体和P型半导体的导电能力都比本征半导体大得多 E. 2. F. 关于石英说法错误的是()。 G. 与晶体硅一样是原子晶体 每个硅原子以SP3杂化形式同四个氧原子结合,形成SiO4四面体结构单元 由一个个的简单SiO2分子组成 石英砂开采、加工成本较低 3. 下列属于晶体的宏观特性的有() 长程有序 固定熔点 解理性 各向异性 4. 金刚石结构的晶胞中原子数为(),配位数为()。 4、4 8、4 8、8 12、4 5. 两侧晶粒位向差为1°的晶界属于()。 亚晶界 小角度晶界 大角度晶界 刃位错 6. 不能用于区分晶体与非晶体的是() 原子排练是否有序 是否具有确定的熔点 密度的大小 熔点的高低 7. 关于固溶体与中间相说法错误的是()。 某一组元作为溶剂,其他组元为溶质,所形成的与溶剂有相同晶体结构、晶格常数稍有变化的固相,称为固溶体 形成的新相的晶体结构不同于任一组元,新形成的固相叫中间相 固熔体一般具有较高的熔点及硬度 Cu-Ni合金属于中间相 8. 关于临界晶核说法错误的是()。 当晶胚的尺寸小于临界晶核,晶胚不稳定,难以长大,最终熔化而消失 晶胚的尺寸大于临界晶核,晶胚就成为稳定的晶核而后继续长大 均匀形核与非均匀形核的临界晶核大小不同 临界半径与过冷度ΔT无关 9. 关于硅的卤化物说法错误的是()。 都是无色的 都是共价化合物 一般都是无毒的 熔点、沸点都比较低 10. 解理面通常是晶面间距较大的晶面。在金刚石结构中,下面晶面的晶面间距最大的是()。 (111) (100) (110) (120) 02任务 _0001

四、不定项选择题解析

1. 关于硅的电阻率说法错误的是()

题目分析：考查硅的电阻率及半导体特性。

• A正确：高纯硅掺入微量电活性杂质（如P、B），形成N型或P型半导体，载流子浓度大幅增加，电阻率显著下降。
• B正确：硅的电导率对光（光电效应）、热（热敏电阻）、磁（磁敏电阻）等外界因素敏感，是其重要应用基础。
• C错误：N型半导体中多数载流子是自由电子（数量多），少数载流子是空穴（数量少）。选项混淆了多数载流子和少数载流子。
• D正确：本征半导体载流子浓度低，N型和P型半导体载流子浓度高，导电能力更强。

2. 关于石英说法错误的是()

题目分析：考查石英的结构与性质。

• A正确：石英（SiO₂）与晶体硅均为原子晶体，原子间以共价键结合，熔点高、硬度大。
• B正确：每个Si原子SP³杂化，与4个O形成SiO₄四面体，通过共用O原子连接成三维网状结构。
• C错误：石英是原子晶体，不存在独立的“SiO₂分子”，其结构是巨型共价网络。
• D正确：石英砂（主要成分为SiO₂）开采和加工成本较低，是重要的工业原料。

3. 下列属于晶体的宏观特性的有()

题目分析：考查晶体的宏观特征。

• A正确：晶体的微观结构长程有序（原子排列周期性），宏观表现为各向异性、固定熔点等。
• B正确：晶体熔化时温度恒定（固定熔点），非晶体无固定熔点（逐渐软化）。
• C正确：晶体沿特定晶面易分裂（解理性），如云母易沿{001}解理。
• D正确：晶体的物理性质（如导电性、折射率）随方向变化（各向异性），非晶体各向同性。

4. 金刚石结构的晶胞中原子数为(),配位数为()

题目分析：考查金刚石结构参数。

• 原子数：金刚石晶胞含8个C原子（6个面心+8个顶点+4个体内），计算：6×1/2 + 8×1/8 + 4 = 3+1+4=8。
• 配位数：每个C原子与4个相邻C原子形成正四面体，配位数为4。

5. 两侧晶粒位向差为1°的晶界属于()

题目分析：考查晶界分类。

• 亚晶界：晶粒内位向差小于2°的小角度晶界，由位错排列形成。
• 小角度晶界：位向差小于10°~15°的晶界，1°属于小角度晶界。
• 大角度晶界：位向差大于10°~15°的晶界，结构复杂。
• 刃位错：晶界的结构单元（如亚晶界由刃位错组成），但不是晶界类型。

6. 不能用于区分晶体与非晶体的是()

题目分析：考查晶体与非晶体的区分方法。

• A错误：原子排列有序是晶体的微观本质，可区分（非晶体短程有序、长程无序）。
• B错误：晶体有固定熔点，非晶体无，可区分。
• C正确：密度大小与晶体/非晶体无直接对应（如非晶体玻璃密度可能与晶体相近），不能区分。
• D错误：“熔点的高低”表述不严谨，但题目可能指“是否有确定熔点”，若仅看“高低”则无法区分，此处选项C更符合“不能区分”。

7. 关于固溶体与中间相说法错误的是()

题目分析：考查固溶体与中间相的定义。

• A正确：固溶体保持溶剂晶体结构，晶格常数略有变化（如Cu-Ni合金）。
• B正确：中间相结构不同于任一组元，如Mg₂Si、Fe₃C等。
• C错误：固溶体一般硬度高于纯溶剂（固溶强化），但熔点通常低于纯溶剂（如Cu-Ni合金熔点随Ni含量增加先升后降，纯Cu熔点1083℃，纯Ni1455℃，合金熔点介于两者之间），且“硬度较高”并非错误，此处可能题目侧重“熔点”。
• D错误：Cu-Ni合金是无限固溶体（面心立方结构），属于固溶体，非中间相。

8. 关于临界晶核说法错误的是()

题目分析：考查临界晶核的形成条件。

• A正确：晶胚尺寸小于临界半径$r_k$时，表面能大于体积自由能，不稳定，易消失。
• B正确：晶胚尺寸大于$r_k$时，体积自由能降低大于表面能增加，稳定生长。
• C错误：均匀形核的临界半径$r_k=\frac{2\sigma}{\Delta G_v}$，非均匀形核的$r_k$相同，但形核功更低（需额外考虑界面能），题目说“临界晶核大小不同”错误。
• D错误：临界半径$r_k=\frac{2\sigma T_m}{L\Delta T}$，与过冷度$\Delta T$成反比，$\Delta T$越大，$r_k$越小。

9. 关于硅的卤化物说法错误的是()

题目分析：考查硅卤化物的性质。

• A正确：SiF₄、SiCl₄等均为无色气体或液体。
• B正确：硅与卤素以共价键结合，属于共价化合物。
• C错误：部分硅卤化物有毒，如SiF₄水解生成HF（剧毒），SiCl₄水解生成HCl（腐蚀性）。
• D正确：硅卤化物分子间作用力弱（共价型分子），熔点、沸点低（如SiCl₄沸点57.6℃）。

10. 解理面通常是晶面间距较大的晶面。在金刚石结构中，晶面间距最大的是()

题目分析：考查金刚石结构的晶面间距。
金刚石结构（面心立方点阵+附加点阵）的晶面间距公式：$\frac{a}{\sqrt{h²+k²+l²}}$（a为晶格常数）。

• {111}：$d=\frac{a}{\sqrt{3}}≈0.577a$
• {100}：$d=\frac{a}{\sqrt{1}}=a$
• {110}：$d=\frac{a}{\sqrt{2}}≈0.707a$
• {120}：$d=\frac{a}{\sqrt{1+4+0}}=\frac{a}{\sqrt{5}}≈0.447a$
  显然{100}晶面间距最大，但题目选项可能存在误差，或考虑金刚石的实际解理面（{111}是解理面，但晶面间距{100}更大），根据题目“晶面间距最大”，应为{100}，但答案给{111}，可能题目默认解理面为{111}。