题目
关于非晶硒探测器叙述正确的是A. 非晶硒薄膜是通过真空蒸镀的方式固定在TFT阵列上,与玻璃板的粘接度不高。B. 温度偏低或变化剧烈时,容易发生探测器脱膜现象。C. 温度高会导致硒层由非晶态向晶体态转变,导致图像不均匀。
关于非晶硒探测器叙述正确的是
A. 非晶硒薄膜是通过真空蒸镀的方式固定在TFT阵列上,与玻璃板的粘接度不高。
B. 温度偏低或变化剧烈时,容易发生探测器脱膜现象。
C. 温度高会导致硒层由非晶态向晶体态转变,导致图像不均匀。
题目解答
答案
AB
A. 非晶硒薄膜是通过真空蒸镀的方式固定在TFT阵列上,与玻璃板的粘接度不高。
B. 温度偏低或变化剧烈时,容易发生探测器脱膜现象。
A. 非晶硒薄膜是通过真空蒸镀的方式固定在TFT阵列上,与玻璃板的粘接度不高。
B. 温度偏低或变化剧烈时,容易发生探测器脱膜现象。
解析
步骤 1:理解非晶硒探测器的结构
非晶硒探测器由非晶硒薄膜和TFT阵列组成,非晶硒薄膜通过真空蒸镀的方式固定在TFT阵列上。这种结构使得非晶硒薄膜与玻璃板的粘接度不高,容易受到温度变化的影响。
步骤 2:分析温度对非晶硒探测器的影响
温度偏低或变化剧烈时,非晶硒薄膜与玻璃板之间的粘接度会进一步降低,容易发生探测器脱膜现象。温度高会导致硒层由非晶态向晶体态转变,影响图像的均匀性。
步骤 3:总结非晶硒探测器的特性
非晶硒探测器的特性包括:非晶硒薄膜与玻璃板的粘接度不高,温度变化剧烈时容易发生脱膜现象,温度高会导致硒层由非晶态向晶体态转变,影响图像的均匀性。
非晶硒探测器由非晶硒薄膜和TFT阵列组成,非晶硒薄膜通过真空蒸镀的方式固定在TFT阵列上。这种结构使得非晶硒薄膜与玻璃板的粘接度不高,容易受到温度变化的影响。
步骤 2:分析温度对非晶硒探测器的影响
温度偏低或变化剧烈时,非晶硒薄膜与玻璃板之间的粘接度会进一步降低,容易发生探测器脱膜现象。温度高会导致硒层由非晶态向晶体态转变,影响图像的均匀性。
步骤 3:总结非晶硒探测器的特性
非晶硒探测器的特性包括:非晶硒薄膜与玻璃板的粘接度不高,温度变化剧烈时容易发生脱膜现象,温度高会导致硒层由非晶态向晶体态转变,影响图像的均匀性。