氮化硅常常采用的干法刻蚀气体为:A. HFB. NF3C. HClD. Cl2

氮化硅（Si3N4）是一种非常稳定的材料，通常需要使用特定的气体进行干法刻蚀。在半导体制造过程中，NF3（三氟化氮）是一种常用的气体，因为它能够有效地与氮化硅反应，从而实现刻蚀。其他选项如HF（氢氟酸）、HCl（氢氯酸）和Cl2（氯气）虽然在其他材料的刻蚀中可能有用，但它们对氮化硅的刻蚀效果不如NF3。