【单选题】涂胶以后的晶片,需要在一定的温度下进行烘烤,这一步骤称为 ____________.A. 预烘B. 去水烘烤C. 后烘D. 烘烤

本题考查半导体制造工艺中涂胶后烘烤步骤的专业术语。需明确各烘烤步骤的定义及对应阶段：

• 预烘：指涂胶（如光刻胶）后，在一定温度下进行的初步烘烤，目的是去除胶层中的溶剂，防止后续光刻过程中胶层流动或产生缺陷，是涂胶后的第一步关键工序；
• 去水烘烤：通常针对晶圆表面的水分去除，多在涂胶前进行（如湿法清洗后），而非涂胶后；
• 后烘：一般指曝光、显影之后的烘烤，目的是进一步固化胶胶胶膜或增强胶层与晶圆的附着力，与涂胶后直接烘烤的步骤不符；
• 烘烤：是广义术语，未明确工艺阶段，不具专业性。

题目中“涂胶以后的晶片烘烤”对应半导体工艺中的“预烘”，故正确答案为A。