碳化硅和氮化镓作为衬底材料常用于功率器件。A. 正确B. 错误

本题考查对宽禁带半导体材料在功率器件中应用的了解。关键点在于掌握碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）的材料特性及其在现代电子器件中的实际应用。这类材料因高击穿电场、高热导率、高饱和电子速度等特性，成为高频、高温、高功率场景下的理想选择，尤其在功率器件领域逐渐取代传统硅材料。

材料特性与应用领域

1. 宽禁带半导体材料：
   碳化硅和氮化镓均属于第三代半导体材料，禁带宽度分别为3.4 eV和3.4 eV（氮化镓为3.4 eV，碳化硅为3.3 eV），远高于硅（1.1 eV）。这使得它们在高频、高温、高功率密度场景下性能更优。

2. 功率器件的优势：

   • 氮化镓（GaN）：
     具有高电子迁移率，适合制作高频功率放大器和开关器件，可显著降低功耗。
   • 碳化硅（SiC）：
     高热导率和高击穿场强，适合制作耐高温、耐高压的功率模块（如电动汽车逆变器）。

3. 衬底材料的作用：
   衬底是半导体器件的基底，直接影响器件的电学性能和可靠性。碳化硅和氮化镓作为衬底，能提供更低的导通电阻和更快的开关速度，从而提升功率转换效率。