3m80室温300K以下，As杂志全部电离的掺杂上限D2NDeEDkoT10%2NDe0.0127NC0.026ND上限0.1N______e20.01270.0260.11.05101920.0127e0.0263.221017/cm3As掺杂浓度超过ND上限无用G饿本征浓度n2.41013/cm3As的掺杂浓度范围5ni~1V上限，2.41014~3.221017/cm311.若锗中施主杂质电离能ED=0.01eV，施主杂质浓度分别为ND=1014cm-3j及1017cm-3。计算①99%电离；②90%电离；③50%电离时温度各为多少？12.若硅中施主杂质电离能ED=0.04eV，施主杂质浓度分别为1015cm-3，1018cm-3。计算①99%电离；②90%电离；③50%电离时温度各为多少？13.有一块掺磷的 n型硅，ND=1015cm-3,分别计算温度为①77K；②300K；③500K；④800K 时导带中电子浓度（本征载流子浓度数值查图 3-7）13（.2）300K时，n1010/cm3N1015/cm3强电离区nN1015/cm3(3)500K时，n41014/cm3~N过度区n01.141015/cm32(4)8000K时，n1017/cm3nn1017/cm314.计算含有施主杂质浓度为ND=91015cm-3，及受主杂质浓度为1.11016cm3，的硅在33K时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。15.掺有浓度为每立方米为1022硼原子的硅材料，分别计算①300K；②600K时费米能级的位置及多子和少子浓度（本征载流子浓度数值查图3-7）。16.掺有浓度为每立方米为1.51023砷原子 和立方米51022铟的锗材料，分别计算①300K；②600K时费米能级的位置及多子和少子浓度（本征载流子浓度数值查图3-7）。17.施主浓度为1013cm3的n型硅，计算400K时本征载流子浓度、多子浓度、少子浓度和费米能级的位置。17.si:N1013/cm3,400K时，n81012/cm3(查表）npND0ND13