NiO为P型半导体,NiO膜中的晶格缺陷为间隙金属离子和自由电子。A. 正确B. 错误

考查要点：本题主要考查对半导体类型及晶格缺陷的理解，特别是金属氧化物半导体的导电特性与缺陷类型的关系。

解题核心思路：

1. 判断半导体类型：明确P型半导体的特征（空穴为多数载流子），并结合NiO的晶体结构和缺陷分析其导电性。
2. 分析晶格缺陷：理解间隙金属离子和自由电子在晶格缺陷中的作用，判断其是否符合NiO的实际特性。

破题关键点：

• NiO的半导体属性：NiO属于P型半导体，其导电性主要由空穴主导，这与氧空位或Ni的价态变化有关。
• 晶格缺陷类型：间隙金属离子（如Ni原子占据间隙位置）和自由电子可能共存，但需结合P型半导体特性判断描述的合理性。

NiO的半导体特性：
NiO的晶体结构中，Ni²⁺离子位于氧的八面体间隙。氧空位是NiO中常见的缺陷，每个氧空位可释放一个空穴，使NiO呈现P型半导体特性。此外，Ni的价态变化（如Ni³⁺的形成）也可能产生空穴。

晶格缺陷分析：

1. 间隙金属离子：Ni原子可能占据晶格间隙，形成间隙缺陷。这种缺陷可能影响载流子的迁移率，但不会直接决定半导体类型。
2. 自由电子：虽然P型半导体的多数载流子是空穴，但晶格缺陷（如金属间隙）可能释放少量自由电子，这些电子作为少数载流子存在。

结论：题目中“NiO为P型半导体”和“晶格缺陷包含间隙金属离子和自由电子”的描述均正确，因此答案为A。