题目
<8分)室温下Ge中掺入锑的浓度为1015cm-3,设杂质全电离,且μn=3600cm2/Vs,μp=1700cm2/Vs,已知本征载流子浓度ni=2.5×1013cm-3,试求:B6tPmXHuk0(1) 室温下电子和空穴浓度;(2) 室温下该材料的电阻率。<计算时可能会用到的常数:q=1.6×10-19C,k0=1.38×10-23J/K,ε0=8.85×10-12F/m,ln10=2.3,ln2=0.69)B6tPmXHuk0
<8分)
室温下Ge中掺入锑的浓度为1015cm-3,设杂质全电离,且μn=3600cm2/Vs,μp=1700cm2/Vs,已知本征载流子浓度ni=2.5×1013cm-3,试求:B6tPmXHuk0
(1) 室温下电子和空穴浓度;
(2) 室温下该材料的电阻率。
<计算时可能会用到的常数:q=1.6×10-19C,k0=1.38×10-23J/K,ε0=8.85×10-12F/m,ln10=2.3,ln2=0.69)B6tPmXHuk0
题目解答
答案
解:<1)n0≈1015cm-3 <1分)
<2分) <0.5分)<0.5分)
<2)
<2分) <0.5分)<0.5分)