在半导体制作过程中，哪一个步骤是将硅片表面清洗以去除杂质和污染的关键步骤？A. 氧化B. 掺杂C. 清洗D. 光刻

本题考查半导体制作过程中各步骤的功能，解题思路是明确每个选项所代表步骤的主要作用，然后找出将硅片表面清洗以去除杂质和污染的关键步骤。

• 选项A：氧化
  氧化步骤主要是在硅片表面形成一层二氧化硅薄膜，其作用是作为绝缘层、掩膜层等，并非用于清洗硅片表面去除杂质和污染。例如在MOSFET器件制造中，二氧化硅层可作为栅极的绝缘层，控制源漏之间的导电沟道。所以选项A不符合要求。
• 选项B：掺杂
  掺杂是向半导体材料中引入特定杂质元素，以改变半导体的电学性能，如提高载流子浓度、改变导电类型等。常见的掺杂元素有硼（p型掺杂）和磷（n型掺杂）。它的重点在于改变半导体的电学特性，而不是清洗硅片表面。所以选项B不符合要求。
• 选项C：清洗
  清洗步骤的主要目的就是去除硅片表面的杂质和污染，这些杂质和污染可能来自于硅片的生长、加工过程中的环境、操作人员等。清洗过程通常会使用各种化学试剂和清洗方法，如湿法清洗、干法清洗等，以确保硅片表面的洁净度，为后续的加工步骤提供良好的基础。所以选项C符合要求。
• 选项D：光刻
  光刻是利用光化学反应将掩膜上的图形转移到硅片表面的光刻胶上，然后通过刻蚀等工艺将光刻胶上的图形转移到硅片上，用于制造各种微纳结构。它主要涉及图形的转移和加工，而不是清洗硅片表面。所以选项D不符合要求。