以下各项不属于最常用的金属薄膜制备（Metal Film preparation）方法有:A. Thermal Oxidation（热氧化）B. PVD（物理气相淀积）C. Sputtering（溅射）D. Evaporation（蒸发）

本题考查金属薄膜制备方法的分类。关键点在于区分物理气相沉积（PVD）与化学气相沉积（CVD），以及热氧化的应用场景。

• 金属薄膜制备的核心方法是PVD（如蒸发、溅射）和CVD，其中蒸发和溅射属于PVD的典型技术。
• 热氧化主要用于生成氧化物薄膜（如SiO₂），属于化学反应过程，与金属薄膜制备无关。

选项分析

A. Thermal Oxidation（热氧化）

• 热氧化通过高温使基底材料（如硅）与氧气反应生成氧化物薄膜（如SiO₂），属于化学反应过程，不涉及金属薄膜的沉积。
• 常用于半导体制造中的栅氧化层制备，而非金属薄膜。

B. PVD（物理气相淀积）

• PVD是金属薄膜制备的核心方法，包括蒸发和溅射。
• 蒸发：加热金属至气化，蒸镀到基底。
• 溅射：用离子轰击靶材，使金属原子沉积到基底。

C. Sputtering（溅射）

• 溅射是PVD的子类，广泛用于制备高纯度金属薄膜（如铝、铜）。

D. Evaporation（蒸发）

• 蒸发是PVD的另一重要技术，适用于低熔点金属（如金、银）。