VPE制备n-/n+-Si用硅烷为源，硅烷是在（）完成的分解。可从下面选择：气相硅片表面n-/n+Si界面

本题考察VPE（气相外延）制备n-/n+-Si时硅烷的分解位置相关知识。VPE技术中，硅烷（SiH₄）作为硅源，其分解反应是外延生长的关键步骤。硅烷的分解需要在衬底表面进行，因为只有在硅片表面，分解产生的硅原子才能定向沉积并形成外延层。若在气相中分解，硅原子会均匀分散，无法形成有序的外延结构；在n-/n+Si界面分解则无法实现外延层的可控生长。因此，硅烷的分解是在硅片表面完成的。