题目

硅气相外延工艺中,同样工艺温度下,以下哪种硅源生长速率最高?A. 硅烷B. 四氯化硅C. 二氯硅烷D. 三氯硅烷

硅气相外延工艺中,同样工艺温度下,以下哪种硅源生长速率最高?

A. 硅烷

B. 四氯化硅

C. 二氯硅烷

D. 三氯硅烷

题目解答

答案

D. 三氯硅烷