为了避免沟道效应,通常方法有A. 使晶体主轴方向偏离注入方向B. 晶体表面覆盖介质层C. 硅表面预先非晶化D. 降低注入离子能量

本题考查避免沟道效应的方法，解题思路是对每个选项进行分析，判断其是否能有效避免沟道效应。

• 选项A：
  • 沟道效应是指当离子注入方向与晶体的晶轴方向平行时，离子会在晶体的沟道中运动，从而使离子注入的深度和分布不均匀。
  • 当使晶体主轴方向偏离注入方向时，离子就不容易沿着沟道运动，从而可以避免沟道效应。所以选项A正确。
• 选项B：
  • 在晶体表面覆盖介质层，介质层可以改变离子进入晶体的初始条件。
  • 离子在进入介质层后，其运动方向和能量会发生改变，使得离子进入晶体时不再容易形成沟道，进而避免沟道效应。所以选项B正确。
• 选项C：
  • 硅表面预先非晶化后，晶体的有序结构被破坏。
  • 由于没有了规则的晶体沟道，离子注入时就不会出现沟道效应。所以选项C正确。
• 选项D：
  • 降低注入离子能量主要影响的是离子注入的深度和射程等参数。
  • 它并不能从根本上改变晶体的结构和离子进入晶体的方式，所以不能避免沟道效应。所以选项D错误。