题目
对于处于饱和区的半导体硅材料,温度升高将导致禁带宽度()。A. 变大B. 变 小C. 不变D. 以上都不对
对于处于饱和区的半导体硅材料,温度升高将导致禁带宽度()。
A. 变大
B. 变 小
C. 不变
D. 以上都不对
题目解答
答案
B. 变 小
解析
步骤 1:理解禁带宽度的定义
禁带宽度是指半导体材料中价带顶和导带底之间的能量差。在半导体材料中,禁带宽度决定了材料的导电性能和光学性质。
步骤 2:分析温度对禁带宽度的影响
温度升高会导致半导体材料中的电子热运动加剧,从而使得价带顶和导带底之间的能量差减小。因此,禁带宽度会随着温度的升高而减小。
步骤 3:选择正确答案
根据以上分析,温度升高将导致禁带宽度变小,因此正确答案为B。
禁带宽度是指半导体材料中价带顶和导带底之间的能量差。在半导体材料中,禁带宽度决定了材料的导电性能和光学性质。
步骤 2:分析温度对禁带宽度的影响
温度升高会导致半导体材料中的电子热运动加剧,从而使得价带顶和导带底之间的能量差减小。因此,禁带宽度会随着温度的升高而减小。
步骤 3:选择正确答案
根据以上分析,温度升高将导致禁带宽度变小,因此正确答案为B。