题目
对于一定的 n 型半导体材料,温度一定时,减少掺杂浓度,将导致()靠近 Ei A. E CB. E VC. EgD. E F
对于一定的 n 型半导体材料,温度一定时,减少掺杂浓度,将导致()靠近 Ei
- A. E C
- B. E V
- C. Eg
- D. E F
题目解答
答案
D
解析
步骤 1：理解半导体能带结构
在半导体材料中，能带结构包括价带（E V）、导带（E C）和禁带（Eg）。Ei是禁带中点，E F是费米能级。对于n型半导体，费米能级靠近导带底部。
步骤 2：分析掺杂浓度对费米能级的影响
掺杂浓度的减少意味着自由电子浓度的减少，这将导致费米能级向禁带中点Ei靠近。因为掺杂浓度减少，电子浓度减少，费米能级会向价带方向移动，但仍然保持在导带附近，只是更接近于禁带中点Ei。
步骤 3：确定正确选项
根据上述分析，减少掺杂浓度将导致费米能级E F靠近禁带中点Ei。
在半导体材料中，能带结构包括价带（E V）、导带（E C）和禁带（Eg）。Ei是禁带中点，E F是费米能级。对于n型半导体，费米能级靠近导带底部。
步骤 2：分析掺杂浓度对费米能级的影响
掺杂浓度的减少意味着自由电子浓度的减少，这将导致费米能级向禁带中点Ei靠近。因为掺杂浓度减少，电子浓度减少，费米能级会向价带方向移动，但仍然保持在导带附近，只是更接近于禁带中点Ei。
步骤 3：确定正确选项
根据上述分析，减少掺杂浓度将导致费米能级E F靠近禁带中点Ei。