对于一定的 n 型半导体材料,温度一定时,减少掺杂浓度,将导致()靠近 EiA. E CB. E VC. EgD. E F

本题考查n型半导体中掺杂浓度变化对费米能级（EF）位置的影响。关键点在于理解：

1. 费米能级（EF）的位置由掺杂浓度决定：高掺杂时，EF靠近施主能级（E_D）；低掺杂时，EF向导带底（EC）靠近。
2. 本征费米能级（E_i）是材料未掺杂时的EF位置，位于禁带中点（E_i = (EC + EV)/2）。
3. 减少掺杂浓度使半导体接近本征状态，因此EF会向E_i移动。

核心思路

• 掺杂浓度降低 → 施主杂质浓度减少 → 施主能级对EF的主导作用减弱 → EF向本征位置E_i靠近。
• 选项中只有EF本身的位置变化符合题意。

关键分析

1. 本征半导体：未掺杂时，EF = E_i，位于禁带中点。
2. n型半导体：掺入施主杂质后，EF向EC移动，偏离E_i。
3. 减少掺杂浓度：施主杂质浓度降低，EF的移动幅度减小，逐渐接近E_i。