CZ法提拉单晶的工艺流程是什么?为什么CZ法提拉的晶圆比悬浮区熔法提拉的单晶有较高的氧浓度?1.将高纯度的电子级硅材料放入缓慢转动的石英坩埚中在1415C熔化(硅的熔点是1414C)2.将一个安装在慢速转动夹具上的单晶硅籽晶棒缓慢降低高度,溶解在熔融硅中3.将单晶硅籽晶缓慢拉出就可以把熔融的硅拉出来,使其沿着籽晶的晶体方向凝固。CZ法提拉的单晶硅棒总是有微量的氧和碳杂质,这是由于坩埚本身的材料引起的。而悬浮区熔法处理的时候不接触坩埚。