【多选题】关于硅表面氧化层,下面那种说法正确:A. 是单晶薄膜，氧原子几乎都是桥联氧 B. 是非晶薄膜，有非桥联氧 C. 性质与制备工艺无关 D. 可作为器件的组成部分

考查要点：本题主要考查硅表面氧化层的结构特性及其在微电子器件中的应用。
解题核心：需明确硅氧化层的非晶态结构、非桥联氧的存在以及其工程应用价值。
关键点：

1. 硅氧化层通过化学气相沉积或热氧化形成，属于非晶薄膜，而非单晶结构。
2. 非晶结构中存在非桥联氧（如悬挂键或缺陷态氧），这是单晶结构所不具备的。
3. 氧化层的性质（如缺陷密度、电学特性）与制备工艺密切相关。
4. 硅氧化层是微电子器件（如MOSFET）的重要组成部分，具有绝缘和介质功能。

选项分析

选项A

错误。硅表面氧化层是非晶薄膜，而非单晶结构。单晶SiO₂（如 quartz）需要极高的能量条件形成，而硅芯片制备工艺无法达到。此外，非晶结构中存在非桥联氧，氧原子并非全部以桥联形式存在。

选项B

正确。硅氧化层为非晶薄膜，其无序结构导致原子排列不规则。非桥联氧（如悬挂氧键或缺陷氧）广泛存在，这是非晶材料的典型特征。

选项C

错误。氧化层的性质（如厚度、缺陷密度、电学性能）严格依赖于制备工艺（如温度、氧气浓度、时间等）。例如，干氧与湿氧工艺会生成不同缺陷分布的氧化层。

选项D

正确。硅氧化层是微电子器件的核心组成部分，例如用作MOS器件的栅绝缘层或隔离层，具有重要的工程应用价值。