下面是与硅热氧化速率有关的论述，哪种论述正确:()A. 因为水汽在硅氧化层中的溶解度(也就是平衡浓度)远大于氧气，所以水汽的氧化速率比干氧氧化快得多B. 温度对抛物线氧化速率影响大，对线性氧化速率影响小C. 在氧化层很薄时增加氧气分压，比在氧化层较厚时增加氧气分压，对提高氧化速率的影响更大D. 氧化层较厚时，可以忽略硅晶向对热氧化速率的影响

步骤 1：理解硅热氧化速率的影响因素
硅热氧化速率受多种因素影响，包括氧化剂类型、温度、氧气分压和硅晶向等。这些因素通过不同的机制影响氧化速率，因此需要分别分析每个选项的正确性。

步骤 2：分析选项A
水汽氧化和干氧氧化是两种不同的氧化方式。水汽氧化速率通常比干氧氧化快，因为水汽在硅氧化层中的溶解度远大于氧气，这使得水汽能够更有效地扩散到硅表面，从而加速氧化过程。

步骤 3：分析选项B
温度对硅热氧化速率的影响是显著的。在抛物线氧化阶段，温度的升高会显著增加氧化速率，因为氧化过程主要受扩散控制。而在线性氧化阶段，温度的影响相对较小，因为氧化速率主要由化学反应速率决定。

步骤 4：分析选项C
在氧化层很薄时，增加氧气分压可以显著提高氧化速率，因为此时氧化过程主要受扩散控制。而在氧化层较厚时，增加氧气分压对氧化速率的影响较小，因为此时氧化过程主要受化学反应速率控制。

步骤 5：分析选项D
硅晶向对热氧化速率的影响在氧化层较薄时较为显著，因为不同晶向的硅表面具有不同的原子排列和化学活性。而在氧化层较厚时，可以忽略硅晶向对热氧化速率的影响，因为此时氧化层的厚度已经足够大，使得晶向的影响变得不明显。