掺氯氧化的优点包括: 。A. 减少界面陷阱电荷B. 吸附钠离子C. 抑制氧化层错D. 薄膜纯度提高

本题考查掺氯氧化技术在半导体制造中的优点，需结合半导体工艺知识进行判断。关键点在于理解氯元素在氧化过程中的作用，包括界面陷阱电荷的减少、钠离子的吸附、氧化层缺陷的抑制以及薄膜纯度的提升。需逐一分析选项是否符合掺氯氧化的实际效果。

A. 减少界面陷阱电荷

掺氯氧化能改善半导体/氧化层界面的质量，减少界面陷阱电荷，从而降低器件的亚阈值摆幅，提升电性能。

B. 吸附钠离子

钠离子是半导体中的有害杂质，会导致漏电。氯能通过化学作用吸附钠离子，减少其对器件性能的影响。

C. 抑制氧化层错

氧化层中的缺陷（如晶格错位）会影响可靠性。掺氯可抑制氧化层缺陷的形成，提高氧化层的均匀性和稳定性。

D. 薄膜纯度提高

掺氯过程中，氯可与杂质反应或被氧化层排除，从而减少其他杂质的掺入，使薄膜纯度更高。

综上，四个选项均正确。