热氧化过程中杂质在SiO2/Si界面的浓度是突变的，这是由杂质 ______ 引起的。（两个字）

本题考查热氧化过程中杂质浓度突变现象的原因。关键在于理解分凝现象在相界面处的作用。热氧化生成SiO₂时，杂质在SiO₂和Si之间的溶解度差异导致界面处浓度突变，而非扩散作用。需明确分凝是相变过程中杂质重新分配的结果。

热氧化过程中，硅片表面与氧气反应生成SiO₂氧化层。此时，杂质在SiO₂和Si之间的溶解度不同：

1. 分凝现象：若杂质在SiO₂中的溶解度低，多余杂质会被排斥到SiO₂/Si界面，导致该处浓度突增。
2. 突变本质：浓度突变由两相溶解度差异引起，而非扩散过程中的梯度变化。