热氧化过程中杂质在SiO2/Si界面的浓度是突变的，这是由杂质 ______ 引起的。（两个字）

在热氧化过程中，杂质在SiO2/Si界面的浓度突变现象主要是由于杂质在Si和SiO2之间的分凝系数不同所导致的。分凝系数描述了杂质在两种相态之间分配的比例，当杂质在Si和SiO2中的分凝系数不同时，会导致杂质在界面处的浓度发生突变。