【单选题】金属薄膜淀积之后,用于淀积介质的CVD方法是:A. APCVDB. LPCVDC. PECVDD. ALD原子层淀积

步骤 1：理解CVD方法
化学气相沉积（CVD）是一种在基底上沉积薄膜的工艺，通过化学反应将气态前驱体转化为固态薄膜。CVD方法包括多种类型，如APCVD（大气压化学气相沉积）、LPCVD（低压化学气相沉积）、PECVD（等离子体增强化学气相沉积）和ALD（原子层沉积）。

步骤 2：分析每种CVD方法的特点
- APCVD：在大气压下进行，适用于某些特定的材料沉积。
- LPCVD：在低压下进行，适用于需要均匀薄膜的场合。
- PECVD：利用等离子体增强化学反应，适用于沉积介质薄膜，如二氧化硅、氮化硅等。
- ALD：通过交替引入前驱体和反应物，逐层沉积薄膜，适用于原子级精确的薄膜沉积。

步骤 3：选择适合淀积介质的CVD方法
在金属薄膜淀积之后，需要淀积介质薄膜，如二氧化硅、氮化硅等。PECVD方法由于其等离子体增强的特性，能够有效地沉积这些介质薄膜，因此是合适的选择。