如果吸收塔内的相际传质过程为气膜控制，塔高不变，入塔混合气流量增加时，气相总传质单元高度和总传质单元数（）A. 均增大；B. 均减小；C. 前者增大、后者减小；D. 前者减小、后者增大；

本题考查吸收塔中相际传质过程的气膜控制条件下，气相总传质单元高度（H_G）和总传质单元数（N_G）随气体流量变化的规律。核心思路在于理解总传质系数（K_Ga）与流量的关系，进而推导H_G和N_G的变化趋势。关键点包括：

1. 气膜控制时，总传质系数K_Ga = k_G × a（k_G为气相分传质系数，a为接触面积）。
2. 流量增加导致气相流速增大，使气膜变薄，k_G增大，但可能引起接触面积a减小。
3. 总传质单元高度H_G = 1/K_Ga，总传质单元数N_G = H × K_Ga（H为塔高）。若K_Ga减小，则H_G增大，N_G减小。

关键分析步骤

1. 流量对k_G的影响：流量增加，气相流速增大，根据Film理论，k_G与流速的平方根成正比，即k_G ∝ √v，因此k_G增大。
2. 流量对a的影响：流量增加可能导致气泡在液体中的停留时间减少，接触面积a与停留时间成正比，故a减小。
3. 综合影响：K_Ga = k_G × a。若a的减小速度超过k_G的增加速度，则K_Ga整体减小。
4. H_G和N_G的变化：
   • H_G = 1/K_Ga，K_Ga减小 → H_G增大。
   • N_G = H × K_Ga，K_Ga减小 → N_G减小。

结论

流量增加时，气相总传质单元高度增大，总传质单元数减小，对应选项C。