题目
离子注入工艺的主要目的是()。A. 形成金属连线B. 掺杂半导体C. 沉积薄膜D. 清洗晶圆
离子注入工艺的主要目的是()。
A. 形成金属连线
B. 掺杂半导体
C. 沉积薄膜
D. 清洗晶圆
题目解答
答案
B. 掺杂半导体
解析
离子注入工艺是一种半导体制造技术,通过将带电离子加速并注入到半导体材料中,以实现对半导体材料的精确掺杂。这种工艺可以控制掺杂的深度和浓度,从而改变半导体的电学性质,是制造高性能半导体器件的关键步骤之一。
A. 形成金属连线
B. 掺杂半导体
C. 沉积薄膜
D. 清洗晶圆