1.下列()元素在硅中是形成施主杂质。A.硼B.铝C.磷2.施主杂质电离后向半导体提供(),受主杂质电离后向半导体提供(),本征激发后向半导体提供()。A.空穴B.电子3.Ⅱ-M族化合物半导体起施主作用的缺陷是）。A.正离子填隙B.正离子缺位C.负离子填隙4.I-I族化合物中的M空位 V_m 是）。A.点阵中的金属原子空位B.点阵中的原子间隙C.一种在禁带中引入施主能级的点缺陷D.一种在禁带中引入受主能级的位错5.自补偿效应的起因是（）。A.材料中已先存在某种深能级杂质B.材料中已先存在某种深能级缺陷C.掺入的杂质是双性杂质D.掺入的杂质导致某种缺陷产生

1. 施主杂质与受主杂质：考查半导体掺杂类型，五价元素（如磷）为施主，三价元素（如硼、铝）为受主。
2. 载流子类型：施主电离提供电子，受主电离提供空穴，本征激发同时产生电子-空穴对。
3. 缺陷类型：Ⅱ-M族化合物中，正离子填隙引入施主能级；I-I族化合物中，M空位Vm为金属原子空位，属于点缺陷。
4. 自补偿效应：由双性杂质引起，能同时补偿电子和空穴。

第1题

关键点：施主杂质为五价元素，磷（P）是五价，硼（B）、铝（Al）为三价。
答案：C（磷）

第2题

关键点：

• 施主杂质电离 → 提供电子（B）
• 受主杂质电离 → 提供空穴（A）
• 本征激发 → 同时产生电子和空穴（AB）
  答案：B, A, AB

第3题

关键点：Ⅱ-M族化合物（如ZnO）中，正离子填隙（如Zn²+填隙）形成施主能级。
答案：A（正离子填隙）

第4题

关键点：I-I族化合物（如GaAs）中，M空位Vm指金属原子（如Ga）的空位，属于点缺陷。
答案：A（点阵中的金属原子空位）

第5题

关键点：双性杂质（如Au在Si中）能同时作为施主和受主，导致自补偿效应。
答案：C（掺入的杂质是双性杂质）