迁移率与杂质浓度和温度的关系为：? 若温度确定，杂质浓度增大时，电子与空穴的多子、少子迁移率都单调下降若晶格振动散射为主要散射机构，则迁移率随温度升高而增大若电离杂质散射为主要散射机构，则迁移率随温度升高而增大若晶格振动散射为主要散射机构，则迁移率随温度升高而减小

步骤 1：杂质浓度对迁移率的影响
杂质浓度的增加会导致电离杂质散射的增加，从而降低电子和空穴的迁移率。因此，当温度确定时，杂质浓度的增加会导致电子和空穴的多子和少子迁移率都单调下降。

步骤 2：晶格振动散射对迁移率的影响
晶格振动散射是由于晶格的热振动导致的电子和空穴的散射。当温度升高时，晶格振动加剧，晶格振动散射增加，从而导致迁移率下降。因此，若晶格振动散射为主要散射机构，则迁移率随温度升高而减小。

步骤 3：电离杂质散射对迁移率的影响
电离杂质散射是由于电离杂质对电子和空穴的散射。当温度升高时，电离杂质散射减少，因为温度升高会使得电子和空穴更容易克服杂质的势垒，从而减少散射。因此，若电离杂质散射为主要散射机构，则迁移率随温度升高而增大。