二氧化硅的干法刻蚀所采用的等离子体为:A. Cl*B. F*C. Ar*D. P*

二氧化硅（SiO₂）的干法刻蚀通常使用含氟的等离子体，因为氟化物能够有效地与二氧化硅反应，生成挥发性的氟化硅化合物，从而实现刻蚀。在给定的选项中，B选项的F*（氟离子）是正确的选择，因为它能够有效地与二氧化硅反应，实现刻蚀。