计算衬底掺杂在1015cm-3和1018cm-3之间的硅n+p结光电池的开路电压。假设Ls=100μm，Dn=36cm2/s，光电流密度IL/A=35mA/cm2，这些参数与掺杂浓度无关。

步骤 1：确定饱和电流的简化表达式
在n^{+}p结中，由于N_D＞＞N_A，饱和电流的表达式可以简化为：
\[ I_{0} = A \cdot q \cdot N_{A} \cdot \sqrt{\frac{D_{n}}{L_{s}}} \cdot \exp\left(-\frac{q \cdot V_{bi}}{k \cdot T}\right) \]
其中，A为pn结面积，q为电子电荷，N_{A}为受主浓度，D_{n}为电子扩散系数，L_{s}为表面复合速度，V_{bi}为内建电势，k为玻尔兹曼常数，T为绝对温度。

步骤 2：开路电压的表达式
开路电压V_{oc}的表达式为：
\[ V_{oc} = V_{bi} - \frac{k \cdot T}{q} \cdot \ln\left(\frac{I_{L}}{I_{0}}\right) \]
其中，I_{L}为光电流密度，I_{0}为饱和电流。

步骤 3：计算不同掺杂浓度下的开路电压
根据题目给定的参数，计算不同掺杂浓度下的开路电压。
- 当N_{A} = 10^{15} cm^{-3}时，
\[ I_{0} = A \cdot q \cdot 10^{15} \cdot \sqrt{\frac{36}{10^{-4}}} \cdot \exp\left(-\frac{q \cdot V_{bi}}{k \cdot T}\right) \]
\[ V_{oc} = V_{bi} - \frac{k \cdot T}{q} \cdot \ln\left(\frac{35 \times 10^{-3}}{I_{0}}\right) \]
- 当N_{A} = 10^{16} cm^{-3}时，
\[ I_{0} = A \cdot q \cdot 10^{16} \cdot \sqrt{\frac{36}{10^{-4}}} \cdot \exp\left(-\frac{q \cdot V_{bi}}{k \cdot T}\right) \]
\[ V_{oc} = V_{bi} - \frac{k \cdot T}{q} \cdot \ln\left(\frac{35 \times 10^{-3}}{I_{0}}\right) \]
- 当N_{A} = 10^{17} cm^{-3}时，
\[ I_{0} = A \cdot q \cdot 10^{17} \cdot \sqrt{\frac{36}{10^{-4}}} \cdot \exp\left(-\frac{q \cdot V_{bi}}{k \cdot T}\right) \]
\[ V_{oc} = V_{bi} - \frac{k \cdot T}{q} \cdot \ln\left(\frac{35 \times 10^{-3}}{I_{0}}\right) \]
- 当N_{A} = 10^{18} cm^{-3}时，
\[ I_{0} = A \cdot q \cdot 10^{18} \cdot \sqrt{\frac{36}{10^{-4}}} \cdot \exp\left(-\frac{q \cdot V_{bi}}{k \cdot T}\right) \]
\[ V_{oc} = V_{bi} - \frac{k \cdot T}{q} \cdot \ln\left(\frac{35 \times 10^{-3}}{I_{0}}\right) \]