MOS管中常用作栅的材料是:A. SiO2B. AlC. 多晶硅D. Si3N4

MOS管（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）的栅极材料需要具有良好的导电性和与氧化物层的良好接触。多晶硅（Polysilicon）是一种常用的栅极材料，因为它具有良好的导电性，同时可以与二氧化硅（SiO2）形成良好的界面，有利于制造工艺和器件性能。选项A、B、D分别是二氧化硅、铝和氮化硅，它们不是栅极的常用材料。