位错是半导体的一种缺陷,它对半导体材料和器件的性能会产生严重的影响。在棱-|||-位错的周围会导致原子间的压缩和伸张,晶格压缩区禁带宽度 __ ,伸张区禁带宽-|||-度 __

考查要点：本题主要考查半导体中晶格形变对禁带宽度的影响，需理解晶格常数变化与禁带宽度的关系。

解题核心思路：

1. 禁带宽度与晶格常数的关系：对于大多数半导体材料，晶格常数减小（压缩）会导致禁带宽度增大，晶格常数增大（伸张）会导致禁带宽度减小。
2. 物理本质：晶格压缩时原子间距减小，电子间库仑势能增加，能带间距扩大；晶格伸张时原子间距增大，势能变化使能带间距缩小。

破题关键点：

• 明确“压缩区”对应晶格常数减小，“伸张区”对应晶格常数增大。
• 结合禁带宽度随晶格常数变化的规律直接推导结果。

晶格压缩区：
当晶格被压缩时，原子间距减小，晶格常数减小。此时，半导体的禁带宽度会增大。这是因为更小的原子间距增强了电子间的相互作用，导致价带顶与导带底的能量差增大。

晶格伸张区：
当晶格被拉伸时，原子间距增大，晶格常数增大。此时，半导体的禁带宽度会减小。更大的原子间距弱化了电子间的相互作用，使得能带间距缩小。