说明为什么实际区熔时,最初几次要选择大熔区后几次用小熔区的工艺条件.⑴一次区熔时Cs=Co[1-〔1-K〕e-KxI],1tW,Cs^A提纯效果姓丁l越大越好⑵极限分布时〔K一定〕K=Bl/ 〔eBl-1 〕 A=C0BL/〔eBL-1〕 Cs 〔x〕 =AeBxl—大,Bt小,At大,CsT大,提纯的效果越差> >l越小越好所以对丁实际区熔,前几次应该用大熔区,越到后面越接近极限分布,应该用小 熔区.第三章-|||-__-|||-__-|||-__1.解释名词：成核过程、均匀成核、非均匀成核、临界半径、自然对流、强迫对流1成核过程：晶体生长过程中,新相核的发生〔形核〕和长大,在一定的驱 动力下,借助丁能量涨落越过位垒而形成晶核的过程.2均匀成核〔自发成核〕：在一定过饱和度、过冷度的条件下,由体系中直 接形成的晶核.3非均匀成核〔非自发成核〕：体系中存在______尘埃、固体颗粒、籽 晶等〕、在外来质点上成核.4临界半径：与体系自由能变化量极大值点△G*相对应的晶胚半径______.T5自然对流：在重力场中由于温度的不均匀,导致热膨胀的差异从而引起也______差异产生浮力.当浮力克服了粘滞力,自然对流就发生.6强迫对流：人为对熔体进行搅拌〔晶体和土甘埸旋转、磁场〕造成的对流.2.分别写出均匀成核与非均匀成核的临界晶核半径、形核功,并说明为什么通常非均匀成核比均匀成核要容易？均匀成核：临界半径r*=-2 0/角v形核功AG均*=16n3/3与v2非均匀成核：临界半径r*=-2m?与v形核功zG非均*=16n也3/3角v2f〔0 〕缶非均*< 0均*________3.简述Kossel模型和Frank模型要点.Kossel模型要点：一个原子在晶格上的稳定性由其受周围原子的作用力大小 决定,晶体外表上不同格点位置所受的吸引力是不相同的,生长基元优先生长在最 稳定的位置,______小：______.Frank模型要点：在生长晶面上,______为晶体生长的台阶源 〔自然二维晶核〕,当生长基元〔原子或分子〕扩散到台阶处,台阶便向前推进,晶 体就生长了,螺旋位错形成的台阶具有以下特点：1永不消失的台阶,像海浪一样向前推进2不需要二维成核过程3生长连续,过饱和度低4.写出杰克逊因子的表达式并指出各参数的物理意义.口二4|也ILo/kTe:物质相变嫡,决定丁物质的本性,共存两相的类别Te为相变时平衡温度L.为单个原子相变时内能的改变,并可近似的看作相变潜热______为单个原子的相变嫡.______取向因子,取决丁晶体结构和界面的取向,反响晶体的各向异性v为晶体内部的______晶体结构有关yi为原子在界面内______取决于界面的取向